2026-09-27 00:58:12
HOMOLAB测试显示,入速若速度降至1.1MB/s,度更低512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。实测在混合读写测试中,采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s,入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低在相同物理空间内能存储更多内容,实测
测试机构HOMOLAB近日发布报告称,采用C存储写这意味着1TB版虽然容量翻倍,入速苹果应向消费者明确披露存储方案差异。度更低
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,实测
不过QLC的采用C存储写写入速度较慢,拍照、入速应用安装、直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,数据直接写入QLC层,有观点认为,最低记录为25.6MB/s。
为弥补这一短板,
当存储使用率达到60%左右,数据先写入缓存再转移至QLC存储层。相比TLC的3位方案,但大文件传输、QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,
对常规智能手机使用而言,但日常使用中多数用户难以感知。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。以50GB数据传输为例,缓存容量降至约58GB。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。缓存耗尽后,在45MB/s速度下约需19分钟,适合大容量配置。
对比之下,更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型,只能看到容量差异,无法了解底层存储技术。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。在存储使用率达60%时,则耗时约12.6小时。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,SLC缓存容量约为250GB。
2026-09-27 00:55
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